熱電阻溫度計廠家生產

應用(yong)

• 專門設計用于食(shi)品(pin)&飲(yin)料和(he)生命(ming)科學(xue)行業中的衛生和(he)無菌應用場合(he)

• 測量范(fan)圍為–50…+200 °C (–58…+392 °F)

• Z大壓力為 50 bar (725 psi)

• Z高防護等為 IP69K

• 可以(yi)在非防爆(bao)區域中使用(yong)

熱電阻溫度計廠家生產

測量原理

熱電阻(zu)(RTD)

熱電阻采用符合(he) IEC 60751 標準的 Pt100 溫(wen)度(du)傳感器。溫(wen)度(du)傳感器為溫(wen)度(du)敏感性鉑(bo)熱電阻，阻抗(kang) 為 100 ? (0 °C (32 °F)時)，溫(wen)度(du)系數為 α = 0.003851 °C-1。

通(tong)常(chang)，有兩種不同類型(xing)的鉑熱(re)電阻：

• 繞(rao)線式(shi)(WW)：由兩(liang)根細的高純(chun)度(du)鉑(bo)絲(si)在陶(tao)瓷載體(ti)(ti)內繞(rao)制而成，并通(tong)過陶(tao)瓷保護層(ceng)在載體(ti)(ti)頂部 和底部對鉑(bo)絲(si)進行(xing)密(mi)封處理。此類熱電阻(zu)具有高可重現性，過程溫(wen)度(du)高達 600 °C (1112 °F)時， 仍能(neng)保證良(liang)好的阻(zu)抗-溫(wen)度(du)關系的長期穩(wen)定性。繞(rao)線式(shi)(WW)熱電阻(zu)的體(ti)(ti)積較大，抗振性較差。

• 薄膜式鉑(bo)電阻溫(wen)度計(TF)：在真空狀態(tai)下，將(jiang)厚度約為 1 μm 的超(chao)高(gao)純度鉑(bo)層(ceng)(ceng)汽化(hua)固定在陶瓷基 板上，光刻制作而成(cheng)。由(you)此構(gou)成(cheng)的鉑(bo)導體形成(cheng)測量阻抗。附加覆蓋層(ceng)(ceng)和(he)鈍化(hua)層(ceng)(ceng)可靠保護(hu)薄鉑(bo) 層(ceng)(ceng)，防(fang)止(zhi)高(gao)溫(wen)條件(jian)下出現氧(yang)化(hua)和(he)污染(ran)。

薄膜(mo)式(shi)(shi)(TF)熱(re)電(dian)阻(zu)(zu)與繞線式(shi)(shi)(WW)熱(re)電(dian)阻(zu)(zu)相比(bi)，突出優點為較(jiao)小的體積和較(jiao)好的抗(kang)振性。高溫(wen)(wen)條(tiao)件(jian)(jian) 下，薄膜(mo)式(shi)(shi)(TF)熱(re)電(dian)阻(zu)(zu)的阻(zu)(zu)抗(kang)-溫(wen)(wen)度(du)(du)關系偏差較(jiao)小，符合 IEC 60751 標準。因此，薄膜(mo)式(shi)(shi)(TF)熱(re)電(dian)阻(zu)(zu)的溫(wen)(wen)度(du)(du)測(ce)量誤差可達溫(wen)(wen)度(du)(du)等 A，符合 IEC 60751 標準(Z高溫(wen)(wen)度(du)(du)約(yue)為 300 °C (572 °F))。所以， 薄膜(mo)式(shi)(shi)(TF)熱(re)電(dian)阻(zu)(zu)通(tong)常僅在(zai)溫(wen)(wen)度(du)(du)低(di)于 400 °C (752 °F)的條(tiao)件(jian)(jian)下測(ce)量。

Endress+Hauser 提(ti)供用于溫度測(ce)量點的整套優化部件(jian)，包括(kuo)將(jiang)測(ce)量點無縫(feng)集成至整個(ge)工廠中的所 有所需部件(jian)。包括(kuo)：

• 電源單元/隔(ge)離柵

• 顯示(shi)單元

• 過電壓保護單元